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當(dāng)前位置：首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器InGaAsPD/APD-TIA光電模塊

InGaAsPD/APD-TIA光電模塊

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

InGaAsPD/APD-TIA光電模塊特點(diǎn)：
● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps
● 高靈敏度
● 工作波長(zhǎng)范圍：1260~1650nm
● 單電源供電
● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)
● RoHS認(rèn)證RoHS compliant

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問(wèn)量：1805

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長(zhǎng)超過(guò)典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。

為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

● 高靈敏度

● 工作波長(zhǎng)范圍：1260~1650nm

● 單電源供電

● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)

● RoHS認(rèn)證RoHS compliant

封裝及尺寸

引腳定義

引腳編號(hào)	引腳功能說(shuō)明	引出端符號(hào)
1	信號(hào)正輸出端	Vout+
2	放大器電源	VCC
3	偏置電壓	VAPD
4	信號(hào)負(fù)輸出端	Vout-
5	接地	GND (case)

引腳編號(hào)	引腳功能說(shuō)明	引出端符號(hào)
1	信號(hào)正輸出端	Vout+
2	信號(hào)負(fù)輸出端	Vout
3	接地	-GND (case)
4	放大器電源	VCC

注意事項(xiàng)

a.嚴(yán)格按照引腳說(shuō)明連接，輸出AC耦合時(shí)，差分負(fù)載應(yīng)為100Ω

b. 貯運(yùn)、使用過(guò)程中必須采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施。

c.器件屬于高電壓工作器件，使用時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和措施避免人體受到傷害。

產(chǎn)品應(yīng)用

● 無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)與SDH/SONET傳輸系統(tǒng)

● 吉比特以太網(wǎng)與光纖信道

● 其它應(yīng)用Other application

訂購(gòu)信息

型號(hào)： IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX

速率□□□□：

0155:155Mbps

1.25:1.25Gbps

2.5:2.5Gbps

探測(cè)器類型☆：

A: APD

P: PD

T: TIA

封裝XX：

PG:尾纖

TO:TO封裝

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)名稱	符號(hào)	測(cè)試條件	最小	典型Typ.	最大	單位
TIA工作電流	ICC	Vcc=3.3V	-	44	59	mA
反向擊穿電壓1）	VBR	ID=100μA	35	-	55	V
VBR溫度系數(shù)	σ	γ= dVBR/dTC	-	0.1	0.15	V/℃
差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5	ZT	Pin=-30dBm， RL=100Ω,			54 26 3.6	kΩ
-3dB帶寬 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5	f-3dB	Pin=-30dBm			100 1000 2000	MHz
響應(yīng)度	Re	M=1 , λ = 1.55μm	0.85	0.95	-	A/W
輸出阻抗	ZO	Single ended	-	50	70	Ω
靈敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P	PS	λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop	-47 -39 -35 -28 -34 -26	－	－	dBm
過(guò)載功率 APD PIN	PMAX	-5 +3	-		-	dBm
光回?fù)p	Lo	λ = 1.55μm	-	-	-30	dB
備注：1）僅適用于APD探測(cè)器

最大絕對(duì)額定值 T=25deg

參數(shù)名稱	符號(hào)	額定值	單位
TIA電源電壓	VCC	5	V
APD反向電壓APD	VAPD	VBR	V
APD/PD反向電流	Ir	2	mA
APD/PD正向電流	If	2	mA
工作溫度范圍	TC	-40 ~ +85	℃
貯存溫度范圍	TSTG	-55 ~ +100	℃